Samsung 9100 Pro Disipador Térmico 4TB SSD Interno PCIe 5.0 NVMe M.2 - Alta Velocidad
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- Interfaz PCIe 5.0 para alto rendimiento •
- Velocidad de lectura secuencial hasta 14,800 MB/s •
- Velocidad de escritura secuencial hasta 13,400 MB/s •
- Rendimiento aleatorio hasta 2,200K/2,600K IOPS •
- Más características
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Descripción del texto
Samsung 9100 Pro Heatsink 4TB SSD Interno PCIe 5.0 NVMe M.2 llega como una unidad de alto rendimiento diseñada para usuarios exigentes y sistemas de alto nivel.
El Samsung 9100 Pro integra 4 TB en formato M.2 2280 con interfaz PCIe 5.0 x4 y soporte NVMe 2.0 para ofrecer un rendimiento de primera línea. Sus velocidades secuenciales alcanzan hasta 14.800 MB/s en lectura y 13.400 MB/s en escritura, acelerando los tiempos de arranque, carga y transferencia de archivos pesados.
Utiliza memoria V‑NAND TLC y cuenta con cifrado por hardware con algoritmo AES de 256 bits para proteger los datos. Además, soporta S.M.A.R.T., TRIM y DevSlp, y ofrece un MTBF de 1.500.000 horas, lo que le confiere alta fiabilidad.
El 9100 Pro apuesta por la eficiencia además de la velocidad, funcionando a 3,3 V con consumos medios en lectura y escritura de 9 W y 8,2 W respectivamente, y un consumo en DevSlp de solo 5,7 mW. El disipador integrado y el tamaño compacto 2280 ayudan a mantener el control térmico bajo carga.
Sus dimensiones son aproximadamente 80,2 x 8,88 x 80,2 mm y pesa unos 30 g. Se suministra en caja y cuenta con una garantía del fabricante de 5 años. Soporta temperaturas de funcionamiento de 0 a 70 °C y choques de hasta 1500 G.
Casos de uso recomendados: equipos gaming de alto rendimiento que necesitan cargas instantáneas, estaciones de trabajo para edición 4K/8K y aplicaciones profesionales con intensas demandas de I/O (Random Read 2.200.000 IOPS, Random Write 2.600.000 IOPS). También es una excelente actualización para consolas modernas.
Los puntos de venta clave son su compatibilidad con PCIe 5.0 NVMe 2.0, rendimiento secuencial y aleatorio extremo, cifrado hardware AES‑256, tecnología V‑NAND TLC y la garantía de 5 años que ofrecen velocidad y fiabilidad.
- Capacidad: 4 TB M.2 2280
- Lectura/Escritura: hasta 14.800 / 13.400 MB/s
- IOPS aleatorios: 2.200.000 R / 2.600.000 W
- Interfaz: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Seguridad: cifrado hardware 256‑bit AES
Características
Características
- Versión NVMe:2.0
- Algoritmos de seguridad soportados:256-bit AES
- SDD, capacidad:4 TB
- Factor de forma de disco SSD:M.2
- Interfaz:PCI Express 5.0
- NVMe:Si
- Tipo de memoria:V-NAND TLC
- Componente para:PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware:Si
- Tamaño de la unidad SSD M.2:2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura:14800 MB/s
- Velocidad de escritura:13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB):2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB):2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express:x4
- Función DevSleep:Si
- Soporte S.M.A.R.T.:Si
- Soporte TRIM:Si
- Tiempo medio entre fallos:1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación:3,3 V
- Consumo de energía (lectura):9 W
- Consumo de energía (escritura):8,2 W
- Consumo eléctrico promedio (lectura):9 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura):8,2 W
- Consumo de energía (espera):0,007 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño):5,7 mW
Peso y dimensiones
- Ancho:80,2 mm
- Profundidad:8,88 mm
- Altura:80,2 mm
- Peso:30 g
Empaquetado
- Tipo de embalaje:Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa:0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento:1500 G
Otras características
- Periodo de garantía:5 año(s)
Historial de precios
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